- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录456 > IXFN48N55 (IXYS)MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
IXFN 48N55
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
30
45
8900
1000
330
42
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
55
ns
M4 screws (4x) supplied
t d(off)
R G = 1 W (External),
110
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
45
330
ns
nC
A
B
C
D
31.50
7.80
4.09
4.09
31.88
8.20
4.29
4.29
1.240
0.307
0.161
0.161
1.255
0.323
0.169
0.169
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
65
0.05
0.21
nC
nC
K/W
K/W
E
F
G
H
J
K
L
M
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
N
O
P
Q
R
S
T
U
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
48
192
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
1.3
V
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
t rr
Q RM
I RM
I F = 50A, -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.4
8
250
ns
m C
A
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFN48N60P
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
IXFN50N80Q2
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXFN60N60
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
IXFN62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
IXFN64N50PD2
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN48N60P
功能描述:MOSFET 600V 48A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN50N25
制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN50N50
功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN50N80Q2
功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN520N075T2
功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFN52N90P
功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN55N50
功能描述:MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN55N50F
功能描述:MOSFET
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube